在有机半导体光电器件中,高效n掺杂剂对于缩小金属-有机界面能垒至关重要。分子型n掺杂剂具有结构多样性的优势,但由于缺乏有效的设计策略,难以实现欧姆电子接触。研究表明,引入强电子给体不仅可以增加n掺杂剂的亲核性,还可以生成稳定的碳正离子以促进高效的电子转移,实现高效n掺杂。为了深入理解如何精确调整EDGs,需要全面回顾其背后的物理原理。在此,我们深入探讨了共轭效应的基本原理和最新进展,并对分子型n掺杂剂在半导体器件中的未来设计策略进行了展望。
有机半导体(OSCs)在有机发光二极管中,凭借其机械柔韧性、分子设计多样性和优异的光电性能,(OLEDs)、有机光伏(OPV)电池和有机薄膜晶体管(OTFTs)其他领域表现出巨大的应用潜力。然而,在这些有机光电设备中,电子注入面临着有机电子传输层与金属阴极之间能垒较大的问题,导致电子注入效率低下,严重制约了设备性能。n 混合技术是降低电子注入能量的有效策略之一。有机分子n 型掺杂剂因其具有分子设计灵活、离子迁移可忽略等优点,成为研究热点。但目前仍缺乏高效的分子设计策略,欧姆接触难以实现,在平衡掺杂剂的高效性和稳定性方面存在挑战。
在这种背景下,研究小组总结了当前有机分子n掺杂剂的进展情况,并创新性地提出了以有效n为设计有效n的效果。混合剂的策略。共邈效应可以使电子产生低能量。π轨道自由移动,使分子处于更加稳定的状态。n 在混合型的过程中,共邈效应主要通过两种方式发挥作用:(1)电子转移后产生的自由基或碳正离子可以稳定。(2)共邈效应可以增强亲核性,促进电子转移,实现高效n。类型混合。它为分子n掺杂剂的设计提供了重要的思路。
(1)自由基/碳正离子效应稳定
典型的中性分子n在有机半导体领域提供电子后,型掺杂剂转化为带正电的自由基或碳正离子,这在 OSCs 易降解运行,对设备寿命影响很大。所以,开发稳定的n 类型混合剂是关键。无色晶体紫色早期真空处理(LCV),富勒烯是第一份报告 C60 氢化混合剂,可以提高氢化物的混合剂, C60 电导率,其特殊结构在氢化物转移后增强了共邈效应,有助于稳定碳正离子。之后,Bao et.N-DMBI与半导体膜混合后,al开发的苯并咪唑氢化物显著提高了电导率。理论研究表明,其平面性有利于碳正离子的稳定性。许多N-DMBI衍生物的研究发现,电子基团有利于n。混合型,而且不同的替代基对混合效果有明显的影响,例如N -烷基取代的 DMBIs 直链和支链的长度对混合效率有不同的影响。
不过,N-DMBI 类型衍生物存在着平面碳正离子干扰半导体微积的问题。因此,Pei et.al.其他人创造了TAM型n型掺杂剂,具有稳定性高、溶解性好等优点。最近,Xiao et.al.JLBI等人设计-H,通过结构调整,优化了富勒烯衍生物的混溶性,实现了高电导率和功率因数,与聚合物混合后性能更好,是有机半导体。 n 混合研究开辟了新的方向。
增强亲核性增强共邈效应。
作为有机电子供体,传统的路易斯碱(OEDs)可以有效地增强亲核性。从σ键型n型掺杂剂看,商业 LiF 由于金属和非金属原子之间共价键的显著极性差异,通过键的异裂达到n型混合。孤对电子型 n 类型掺杂剂方面,像普通的廉价碱 DBU,能让 PC61BM 由于电子迁移率大大提高,阈值电压也可以根据掺杂比例有效降低,这是由于其对其的影响。 PC61BM 强电子转移。Fukagawa et. al.将 Lewis碱的混合机制分为两部分。一是单独对电子和金属阴极形成静电或配位连接来降低功能函数,二是与电子传输材料形成氢键。他们创造的 Py-hpp2 因此,Al阴极功函数成功降低。作者团队的配位活化n型混合(CAN)技术独特,通过Ag和Ag。 BPhen 金属配位,活化空气稳定 Ag,形成 [Ag(BPhen)]⁺/[Ag(BPhen)₂]⁺稳定配合,释放自由电子,实现n型混合。如果团队优化了配体结构, p-Pyr-phen 由于吡咯烷基的共邈效应可以有效地激活多种金属,而p-Amn-由于二甲基氨基共邈效果不佳,phen n型混合失败。基于这种技术的深蓝 OLED 显示高电流效率。富电子烯烃(EROs)作为π键型亲核试剂,可在 OSCs 中充当 n 型掺杂剂。但是如果烯烃没有含孤对电子的官能团的帮助,亲核性往往很难满足电子捐赠的需要,孤对电子离域到电子离域π键 p 轨迹可以增强亲核性。不过,ERO 由于分子特性,型掺杂剂存在稳定性和效率难以平衡的问题,例如 TDAE 即使在氮气环境下,混合聚合物也不稳定,容易热脱。因此,有些非挥发性 n 为了避免过度混合和稳定的活性,研制出了型掺杂剂。 EROs 。
总而言之,在有机半导体领域,为了稳定高效的设计,调控共邈效应。 n 型杂剂提供了一种通用的策略。这个概念已经成功地应用于氢化物、自由基、路易斯碱和配位活化 n 型掺杂(CAN)系统,如配体,在 n 在混合技术方面,型混合技术取得了显著突破。值得注意的是,原来活性较高的人 n 在相应的前体中可以稳定型掺杂剂,从而可以释放富电子的还原部分,从而增强电子传输层。(ETLs)的电导率和 / 或者减少金属阴极的功函数。该方法对实现有机半导体器件的高效稳定至关重要。然而,目前 n 型杂剂的设计方法主要集中在物理性能上,对综合化学视角的重视较少。透彻理解和把握共邈效应的基本原理,对稳定、高性能的发展进行了深入的理解和把握。 n 型掺杂剂仍然是必不可少的。为了发现和优化高效的效果,我们希望本文对共邈效应的看法能继续指导未来的研究。 n 与有机半导体器件相关的型掺杂剂。
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